半导体的CO_2激光退火和合金化 |
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引用本文: | 邹世昌,林成鲁.半导体的CO_2激光退火和合金化[J].物理学报,1982(8). |
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作者姓名: | 邹世昌 林成鲁 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所
(邹世昌),中国科学院上海冶金研究所(林成鲁) |
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摘 要: | 本文主要研究连续CO_2激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO_2激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO_2激光照射半导体有如下特点:CO_2激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO_2激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO_2激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。
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