| 粉粒在等离子体中纯化的理论与工艺参数 |
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| 引用本文： | 陶甫廷,王敬义,许淑慧,冯信华.粉粒在等离子体中纯化的理论与工艺参数[J].华中科技大学学报(自然科学版),2005,33(4):47-50. |
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| 作者姓名： | 陶甫廷 王敬义 许淑慧 冯信华 |
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| 作者单位： | 1. 广西工学院,电子信息与控制工程系,广西,柳州,545006
2. 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10265002). |
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| 摘 要： | 针对反应室的情况，建立了硅粉的运动学模型和粉粒收集判据．应用该模型和判据，选择进气流速为5～20cm^3／min(标准状态下)，抽气比例为0．1．由于等离子区内只存在表面反应，钝化作用会使纯化效应消失．在鞘层内存在大量高能离子，除表面反应外，离子还能对粉粒表面进行刻蚀，因此钝化效应将消失．按此新的纯化概念，鞘层应尽量增厚．基于鞘尽模型考虑，在适中的压力、电流密度和直流自偏压下，选定鞘层厚度为1．5cm．刻蚀提纯的实验结果表明，硅的纯度可由99．00％．提高到99．97％．
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| 关 键 词： | 粉粒纯化 鞘层 表面刻蚀 工艺参数 |
| 文章编号： | 1671-4512(2005)04-0047-04 |
| 修稿时间： | 2004年8月9日 |
Theory and technology parameters for particulate purity in plasma |
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| Tao Futing,Wang Jingyi,Xu Shuhui,Feng Xinhua.Theory and technology parameters for particulate purity in plasma[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2005,33(4):47-50. |
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| Authors: | Tao Futing Wang Jingyi Xu Shuhui Feng Xinhua |
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| Institution: | Tao Futing Wang Jingyi Xu Shuhui Feng Xinhua Tao Futing Prof., Dept. of Electronic Information and Control Engineering,Guangxi Institute of Technology,Liuzhou 545005,China. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | particulate purity sheath surface etching technology parameters |
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