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| 准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管 | |
| 引用本文： | 张进书,钱伟,陈培毅,钱佩信,罗台秦,王于辉,孙同乐,王庆海,高颖,梁春广,冯明宪,林其渊.准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管[J].半导体学报,1998,19(10):798-800. |
| 作者姓名： | 张进书 钱伟 陈培毅 钱佩信 罗台秦 王于辉 孙同乐 王庆海 高颖 梁春广 冯明宪 林其渊 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所，香港科技大学电机与电子工程系，电子部十三所，台湾交通大学毫微米元件实验室 |
| 摘 要： | 本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ． |
| 关 键 词： | 异质结 双极晶体管 锗化硅 HBT |
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