| 激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱法测定多晶硅中杂质元素 |
| |
| 引用本文： | 胡芳菲,王长华,刘英,李继东.激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱法测定多晶硅中杂质元素[J].分析试验室,2013(1):78-81. |
| |
| 作者姓名： | 胡芳菲 王长华 刘英 李继东 |
| |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 |
| |
| 基金项目： | 科技部创新方法工作专项(2010IM31300)资助 |
| |
| 摘 要： | 采用激光剥蚀固体进样技术结合电感耦合等离子体质谱法测定了多晶硅中的元素B、Cu和Zn。考察了该三种杂质元素在多晶硅样品不同深度层面和同一深度层面的分布情况;尝试了采用硅基体信号归一化的方法计算了测定元素的含量。结果表明,杂质元素B、Cu和Zn在多晶硅材料中分布均匀,且测定结果与辉光放电质谱法的测定结果相吻合。这一方法可用于判别多晶硅表面的污染情况,以及杂质元素在多晶硅材料内部分布的均匀性。
|
| 关 键 词： | 激光剥蚀 电感耦合等离子体质谱法 多晶硅 杂质元素 |
Determination of impurity elements in multicrystal silicon by laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry |
| |
| HU Fang-fei,WANG Chang-hua,LIU Ying and LI Ji-dong.Determination of impurity elements in multicrystal silicon by laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry[J].Chinese Journal of Analysis Laboratory,2013(1):78-81. |
| |
| Authors: | HU Fang-fei WANG Chang-hua LIU Ying and LI Ji-dong |
| |
| Institution: | *(General Research Institite for Non-ferrous Metals,Beijing 100088) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
