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CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析
引用本文:薛玉明,孙云,李凤岩,朴英美,刘维一,周志强,李长健. CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 841-844
作者姓名:薛玉明  孙云  李凤岩  朴英美  刘维一  周志强  李长健
作者单位:南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071;南开大学光电子所,天津,300071
摘    要:本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0~0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.

关 键 词:异质结  能带边失调值  CIGS  OVC  太阳电池
文章编号:1000-985X(2004)05-0841-04

Research on the Structure of the Heterojunction of the CIGS Thin Film Solar Cells
XUE Yu-ming,SUN Yun,LI Feng-yan,PIAO Ying-mei,LIU Wei-yi,ZHOU Zhi-qiang,LI Chang-jian. Research on the Structure of the Heterojunction of the CIGS Thin Film Solar Cells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2004, 33(5): 841-844
Authors:XUE Yu-ming  SUN Yun  LI Feng-yan  PIAO Ying-mei  LIU Wei-yi  ZHOU Zhi-qiang  LI Chang-jian
Abstract:
Keywords:heterojunction  energy band offset  CIGS  ordered vacancy compound (OVC)  solar cells
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