| 缓变场终止型IGBT特性的仿真 |
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| 引用本文： | 匡勇,贾云鹏,金锐,吴郁,屈静,苏洪源,李蕊.缓变场终止型IGBT特性的仿真[J].半导体技术,2015,40(1). |
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| 作者姓名： | 匡勇 贾云鹏 金锐 吴郁 屈静 苏洪源 李蕊 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124;国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所,北京100192 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，教育部博士点学科专项科研基金资助项目，国家电网公司科技项目 |
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| 摘 要： | 为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管(FS-IGBT)电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管(GFS-IGBT)的特性进行了仿真研究.与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20～30 μm,峰值掺杂浓度为3.5×1015 cm-3的缓变场终止层.采用Sentaurus TCAD仿真软件,对600 V/20 A的FS-IGBT与GFS-IG-BT和非穿通型IGBT (NPT-IGBT)在导通、开关和短路特性等方面进行了对比仿真.结果表明,在给定的参数范围内,GFS-IGBT具有更低的通态压降、良好的关断电压波形以及更小的关断能耗.最后介绍了一种针对600 V IGBT器件的缓变场终止结构的制造技术.
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| 关 键 词： | 缓变掺杂 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 通态压降 关断损耗 场终止结构 |
Simulation Characteristics of Graded Field Stop IGBT |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | graded doping insulated gate bipolar transistor (IGBT) on-state voltage turn-off energy loss field-stop structure |
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