| CuxSiyO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应 |
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| 引用本文： | 周晓羽,薛晓勇,杨建国,林殷茵.CuxSiyO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应[J].半导体技术,2015,40(6):464-467. |
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| 作者姓名： | 周晓羽 薛晓勇 杨建国 林殷茵 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203 |
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| 摘 要： | 对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验.总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 kGy (SiO2)的60Co γ射线辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵列样品分别接受线性能量转移(LET)值最高达75 MeV的4种离子束的辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.除一组无翻转外,存储单元的高阻到低阻的翻转率皆在0.06％左右.实验结果证实了RRAM中已经形成的导电通道不会受辐照影响,因此不存在低阻翻转为高阻的现象.
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| 关 键 词： | 阻变存储器(RRAM) 抗辐照 总剂量效应(TID) 单粒子效应(SEE) 地面辐照实验 |
SEE and TID Effects on CuxSiyO-Based Resistive Random Access Memory |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resistive random access memory (RRAM) radiation total ionizing dose hence the absence of LRS upsets (TID) single event effect (SEE) groand radiation simulation |
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