| 一种n+/p+环接MOS电容的研制 |
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| 引用本文： | 崔金洪,郑玉宁,潘光燃.一种n+/p+环接MOS电容的研制[J].半导体技术,2015,40(1):53-57. |
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| 作者姓名： | 崔金洪 郑玉宁 潘光燃 |
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| 作者单位： | 深圳方正微电子,广东深圳 518116;深圳方正微电子,广东深圳 518116;深圳方正微电子,广东深圳 518116 |
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| 摘 要： | 电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛.为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现象,并提高MOS电容值的稳定性,提出了一种新型MOS电容的制作方法和连接结构.新结构是将传统MOS电容的一个n+电极更改为p+电极,这样可以使器件的输入电势极性更改前后都为栅氧电容,但在极性更替间,由于有耗尽层存在,电容仍会变小.将两个新结构MOS电容环接,即将其中一个电容的多晶硅层与另一个电容的阱相连接,并用金属连线引出电极,测试结果表明,与传统MOS电容相比,新型MOS电容提升了零电压附近突变区域电容最低值,减小了器件电流波动幅度,有利于提高器件的可靠性.
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| 关 键 词： | 电容 金属-氧化物-半导体 耗尽区 突变区 波动幅度 |
Research and Fabrication of the n+/p+ Looping MOS Capacitors |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | capacitor metal-oxide-semiconductor depletion region mutation region fluctuation range |
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