| 基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器 |
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| 引用本文： | 来晋明,罗嘉,由利人,杨瑜,赵伟星,彭安尽.基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器[J].半导体技术,2015,40(1). |
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| 作者姓名： | 来晋明 罗嘉 由利人 杨瑜 赵伟星 彭安尽 |
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| 作者单位： | 西南电子设备研究所,成都610036;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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| 摘 要： | 基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了在0.8 ～4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器.采用3 dB耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与SiC接近的铜-钼-铜载板作为GaN HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁.测试结果表明,在0.8～4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 dB,增益平坦度为±1.5 dB,饱和输出功率值大于58.2W,漏极效率为41％ ～62％.
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| 关 键 词： | 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 宽带功率放大器 平衡功率放大器 宽带匹配 3 dB耦合器 |
A 0.8-4 GHz Wideband Balanced Power Amplifier Based on GaN HEMTs |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN high electron mobility transistor (HEMT) broadband power amplifier balanced power amplifier broad-band matching 3 dB coupler |
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