| GaAs低噪声放大器的抗静电设计 |
| |
| 引用本文： | 董毅敏,厉志强.GaAs低噪声放大器的抗静电设计[J].半导体技术,2015,40(6):460-463. |
| |
| 作者姓名： | 董毅敏 厉志强 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| |
| 摘 要： | 基于提升GaAs低噪声放大器(LNA)的抗静电(ESD)能力的需求,且实现器件小型化轻量化,设计了一种S波段GaAs低噪声放大器的ESD防护电路,该电路利用1/4波长线的微波特性,通过1/4波长微带线并联在GaAs芯片的输入输出端,瞬态二极管(TVS)并联在芯片的电源端,不改变器件原有封装尺寸的条件下构成保护结构.基于ESD人体模型,运用静电模拟仪器对低噪声放大器进行了模拟试验,并对其性能进行了测试.结果表明,在6.5 mm×6.5 mm×2.4 mm的封装尺寸下,器件的抗静电能力从250 V提高到了1 000 V,在频率为2.6～3.7 GHz,带内增益大于25 dB,增益平坦度小于-±0.5 dB,噪声系数小于1.5 dB,满足高可靠领域应用的要求.
|
| 关 键 词： | GaAs 人体模型 静电放电(ESD) 低噪声放大器(LNA) 表面贴装 |
Design of ESD Protection for GaAs Low Noise Amplifier |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaAs human body model electrostatic discharge (ESD) low noise amplifier (LNA) surface mounting package |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
