| Nafion—玻碳修饰电极阴极溶出伏安法测定痕量铋的研究 |
| |
| 引用本文： | 张平元 刘柏峰. Nafion—玻碳修饰电极阴极溶出伏安法测定痕量铋的研究[J]. 分析化学, 1993, 21(4): 405-409 |
| |
| 作者姓名： | 张平元 刘柏峰 |
| |
| 作者单位： | 北京科技大学，冶金部钢铁研究总院，中国科学院长春应用化学研究所电分析化学开放研究实验室，中国科学院长春应用化学研究所电分析化学开放研究实验室 1989级硕士研究生，长春 130022，长春 130022 |
| |
| 摘 要： | 研究并提出在HNO_3-NaCl-硫脲(Tu)体系中,Nafion/玻碳(Gc)修饰电极阴极溶出伏安法测定痕量鉍的方法。表明Tu具络合协同作用,使Nation阳离子交换能力提高。本法检出限为5×10~(-9)mol/L Bi~(3+)(td:5min),电极表面易于再生,文中研究了电极过程机理,计算得[Bi(Tu)_6]~(3+)在Nafion膜中的分配系数(K_D),扩散系数(D)和选择性系数(K_H~[Bi(Tu)_6~+]~(3+))分别为7.57×10~5,5.9×10~(-11)cm~2/s及3.39。
|
| 关 键 词： | 化学修饰电极 阴极溶出 伏安法 铋 |
Determination of Trace Bismuth by Cathodic Stripping Voltammetry With Nafion/Glassy Carbon Modified Electrode |
| |
| Zhang Pingyuan,Zhang Yuexia. Determination of Trace Bismuth by Cathodic Stripping Voltammetry With Nafion/Glassy Carbon Modified Electrode[J]. Chinese Journal of Analytical Chemistry, 1993, 21(4): 405-409 |
| |
| Authors: | Zhang Pingyuan Zhang Yuexia |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Nafion film Chemically modified electrode Cathodic stripping voltarometry Bismuth. |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
