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氧缺陷导致的结构无序对La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3薄膜电输运特性的影响(英文)
引用本文:张世龙,张金仓,冯振杰,姚雪灿,贾蓉蓉,敬超,曹世勋.氧缺陷导致的结构无序对La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3薄膜电输运特性的影响(英文)[J].低温物理学报,2010(6).
作者姓名:张世龙  张金仓  冯振杰  姚雪灿  贾蓉蓉  敬超  曹世勋
作者单位:上海大学理学院物理系;
基金项目:Project supported by the National Natural Science Foundation of China(NSFC,Grant No.10774097,10904088); The Science & Technology Committee of Shanghai Municipality(Grant No.08dj1400202); Special Research Fundation for the Doctoral Discipline of University(Grant No.200802800003); the Science and Technology Innovation Fund of the Shanghai Education Committee(No.09ZZ95)
摘    要:为了澄清结构无序对电输运特性,特别是低温下电阻极小的影响,采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(100)基片上制备了两类La2/3Sr1/3MnO3薄膜.一块是在通40Pa氧气的气氛下沉积,沉积后不再进行通氧气的原位退火.另一块在同样通40Pa氧气的气氛下沉积,但沉积后再在6×104Pa的氧气气氛下进行原位退火.对两种薄膜的结构,磁特性和电输运特性进行了对比研究.结果表明:氧缺陷导致了薄膜结构的无序,更导致了类似自旋玻璃行为的磁无序.电输运特性结果表明原位退火使得薄膜的金属-绝缘体转变温度Tc从约195K提高到335K.对由于结构无序的存在对低温电阻较小行为的影响作了系统对比研究,曲线拟合的结果表明对于缺氧薄膜和进行了原位退火的薄膜的低温电阻较小行为的主要影响因素分别是类近藤散射作用和电子-电子相互作用,这一结果对于澄清庞磁电阻锰氧化物体系的低温电阻极小现象有一定积极意义.

关 键 词:锰氧化物  外延薄膜  结构无序  电阻极小  

EFFECT OF STRUCTURAL DISORDER ON ELECTRIC TRANSPORT INDUCED BY OXYGEN DEFICIENCY IN La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3 THIN FILMS
ZHANG Shi-long ZHANG Jin-cang FENG Zhen-jie YAO Xue-can JIA Rong-rong JING Chao CAO Shi-xun.EFFECT OF STRUCTURAL DISORDER ON ELECTRIC TRANSPORT INDUCED BY OXYGEN DEFICIENCY IN La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3 THIN FILMS[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2010(6).
Authors:ZHANG Shi-long ZHANG Jin-cang FENG Zhen-jie YAO Xue-can JIA Rong-rong JING Chao CAO Shi-xun
Institution:ZHANG Shi-long ZHANG Jin-cang FENG Zhen-jie YAO Xue-can JIA Rong-rong JING Chao CAO Shi-xun Department of Physics,Shanghai University,Shanghai 200444
Abstract:
Keywords:Manganites  epitaxial films  structural disorder  resistivity minimum  
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