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新型电极材料Sb掺杂BaSnO3薄膜的外延生长及其在铁电薄膜电容器中的应用
引用本文:刘亲壮,焦兴利,王海峰,吴文彬. 新型电极材料Sb掺杂BaSnO3薄膜的外延生长及其在铁电薄膜电容器中的应用[J]. 低温物理学报, 2010, 32(3)
作者姓名:刘亲壮  焦兴利  王海峰  吴文彬
作者单位:合肥微尺度物质科学国家实验室(筹),中国科学技术大学,合肥,230026;合肥微尺度物质科学国家实验室(筹),中国科学技术大学,合肥,230026;合肥微尺度物质科学国家实验室(筹),中国科学技术大学,合肥,230026;合肥微尺度物质科学国家实验室(筹),中国科学技术大学,合肥,230026
基金项目:国家自然科学基金项目(批准号:10874166,50721061); 国家基础研究项目(批准号:2006CB922005,2009CB929502)资助的课题~~
摘    要:本文利用脉冲激光沉积技术在SrTiO_3单晶衬底上生长了Sb掺杂BaSnO_3(BSSO)外延薄膜.结构和输运性质测量结果显示BSSO薄膜是一种具有立方钙钛矿结构导电性很好的薄膜材料,80K时呈现金属绝缘体转变,室温下薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率分别为ρ=2.43 mΩcm,n=1.65×1021 cm~(-3)和μ=1.75 cm~2/Vs.以BSSO薄膜为底电极制备了具有比较好电滞回线的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3和Bi(Mn_(0.05)Fe_(0.95))O_3铁电电容器,表明BSSO薄膜是一种具有应用前景的新型电极材料.

关 键 词:电极  锡酸盐  铁电电容器

FABRICATION OF CONDUCTIVE Sb-DOPED BaSnO_3 FILMS AND THEIR APPLICATION IN FERROELECTRIC CAPACITORS
LIU Qin-zhuang JIAO Xing-li WANG Hai-feng WU Wen-bin Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale,University of Science , Technology of China,Hefei. FABRICATION OF CONDUCTIVE Sb-DOPED BaSnO_3 FILMS AND THEIR APPLICATION IN FERROELECTRIC CAPACITORS[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics, 2010, 32(3)
Authors:LIU Qin-zhuang JIAO Xing-li WANG Hai-feng WU Wen-bin Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale  University of Science    Technology of China  Hefei
Affiliation:LIU Qin-zhuang JIAO Xing-li WANG Hai-feng WU Wen-bin Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale,University of Science and Technology of China,Hefei 230026
Abstract:
Keywords:electrode  alkaline earth stannate  ferroelectric capacitors  
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