|
|||||
|
|
| 应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究 | |
| 引用本文： | 陶江,武国英,张国炳,孙玉秀,王阳元,都安彦.应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究[J].电子学报,1991(4). |
| 作者姓名： | 陶江 武国英 张国炳 孙玉秀 王阳元 都安彦 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 (陶江，武国英，张国炳，孙玉秀，王阳元)，北京市透射电子显微镜实验室(都安彦) |
| 摘 要： | 本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及CoSi_2/Si,CoSi_2,SiO_2界面形貌。结果表明,CoSi_2是除TiSi_2外另一个可用于MOS自对准技术的硅化物。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |