用GaAs_(1-x)P_x光电二极管作为摄象机的光探测器 |
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引用本文: | 杨成珠.用GaAs_(1-x)P_x光电二极管作为摄象机的光探测器[J].半导体光电,1982(2). |
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作者姓名: | 杨成珠 |
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摘 要: | 已研制成功摄象机用的光探测器。它是一种具有浅p-n结的光电二极管。在n~ -GaAs衬底上,汽相外延生长的n-GaAs_(1-x)P_x层里形成p-n结。通过控制组分,结深和施主浓度,已能批量生产反向偏置电压2V时,典型暗电流为0.2PA/mm~2,△EV小于0.085的光电二极管。△EV小于0.085的含意是指光电二极管的光谱响应非常接近人眼的光谱响应。此种二极管的可靠性高,其部分原因是由于它勿须红外截止滤波器。
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