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LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管
引用本文:
王国宏,马骁宇,曹青,张玉芳,王树堂,李玉璋,陈良惠.LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管[J].半导体学报,1998,19(9):712-714.
作者姓名:
王国宏
马骁宇
曹青
张玉芳
王树堂
李玉璋
陈良惠
作者单位:
中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程研究中心
摘 要:
利用LP-MOCVD外延生长AlGaInPDH结构橙黄色发光二极管.引入厚层Al0.7Ga0.3As电流扩展层和Al0.5Ga0.5As-AlAs分布布拉格反射器(DBR).20mA工作条件下,工作电压1.9V,发光波长峰值在605nm,峰值半宽为18.3nm,管芯平均亮度达到20mcd,最大29.4mcd,透明封装成视角(2θ1/2)15°的LED灯亮度达到1cd.
关 键 词:
LP-MOCVD
外延生长
橙黄色
发光二极管
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