| 碳化硅材料的特性,制备及其应用 |
| |
| 引用本文： | 宋登元.碳化硅材料的特性,制备及其应用[J].半导体光电,1992,13(3):202-207. |
| |
| 作者姓名： | 宋登元 |
| |
| 作者单位： | 河北大学电子与信息工程系 保定 |
| |
| 摘 要： | 本文概述了宽禁带半导体碳化硅的电学特性、结晶多型体和能带结构,较全面地总结了碳化硅晶体的生长方法和薄膜制备工艺,并对其主要应用也作了扼要的介绍。
|
| 关 键 词： | 碳化硅 光发射器件 场效应晶体管 |
Properties,Preparation and Applications of Silicon Carbide |
| |
| Song Dengyuan.Properties,Preparation and Applications of Silicon Carbide[J].Semiconductor Optoelectronics,1992,13(3):202-207. |
| |
| Authors: | Song Dengyuan |
| |
| Abstract: | Electrical properties,crystallized polytypes and bard structures of silicon carbide(SiC)with large bandgap are reviewed.Growth techniques of SiC crystals and preparation technology of the thin films are given.A brief introduction to main applications of SiC is also presented. |
| |
| Keywords: | Silicon Carbide Light Emitting Device Field Effect Transistor |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
