| MBE生长的InSb和InASxSb1—x的载流子浓度剖面分布 |
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| 引用本文： | 罗江财,谢国柱.MBE生长的InSb和InASxSb1—x的载流子浓度剖面分布[J].半导体光电,1992,13(1):78-82. |
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| 作者姓名： | 罗江财 谢国柱 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所，重庆光电技术研究所 重庆永川 632163，重庆永川 632163 |
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| 摘 要： | 在(111)InSb 和(100)GaAs 衬底上,用分子束外延技术生长了 InSb 和 InAs_xSb_(1-x)外延层。用自动电化学 C—V 法测量了外延层的载流子浓度剖面分布。结果表明:(1)外延层呈 P 型;(2)InSb/GaAs 异质外延层的载流子浓度为(1～2)×10~(16)cm~(-3),比相应的同质外延层 InSb/InSb 的(1～2)×10~(17)cm~(-3)小一个数量级;(3)生长层的载流子浓度剖面分布和质量取决于衬底表面的制备。讨论了有关问题。
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| 关 键 词： | 分子束 外延 载流子浓度 InSb |
Carrier Concentration Profiles of InSb and InAs_xSb_(1-x)Grown by MBE |
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| Luo Jiancai Xie Guozhu Chongqing Optoelectronics Research Institute Yongchuan,Chongqing.Carrier Concentration Profiles of InSb and InAs_xSb_(1-x)Grown by MBE[J].Semiconductor Optoelectronics,1992,13(1):78-82. |
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| Authors: | Luo Jiancai Xie Guozhu Chongqing Optoelectronics Research Institute Yongchuan Chongqing |
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| Institution: | Luo Jiancai Xie Guozhu Chongqing Optoelectronics Research Institute Yongchuan,Chongqing 632163 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Molecular Beam Epitaxy Epilayer Carrier Concentration Profile |
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