| Ag和K掺杂对La4/5Sr1/5MnO3电输运性质及磁电阻的影响 |
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| 引用本文： | 张明玉,严国清,唐永刚,王桂英,宋启祥,彭振生.Ag和K掺杂对La4/5Sr1/5MnO3电输运性质及磁电阻的影响[J].低温物理学报,2012(3):200-204. |
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| 作者姓名： | 张明玉 严国清 唐永刚 王桂英 宋启祥 彭振生 |
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| 作者单位： | 自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室(培育基地);宿州学院机械与电子工程学院 |
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| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学研究重点项目(批准号:KJ2011A259);宿州学院教授(博士)基金项目(批准号:2011jb01,2011jb02)资助的课题;Project supported by the Key Program of National Natural Science Foundation of China(Grant No.19934003)~~ |
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| 摘 要： | 用固相反应法制备La4/5Sr1/5MnO3及在其A位分别掺K、Ag系列样品,通过X射线衍射(XRD)谱,电阻率-温度(ρ～T)曲线,磁电阻-温度(MR～T)曲线,研究了在A位同时掺入一价、二价元素而保持Mn3+/Mn4+比值(摩尔比n(A)/n(B))不变的钙钛矿锰氧化物体系A位离子半径及A位离子的无序度σ2对电输运性质及磁电阻的影响.结果表明:A位离子的无序度σ2对电输运性质的影响比A位平均离子半径对电输运性质的影响大;电阻率曲线出现双峰是由于表面相电阻率与体相电阻率竞争的结果;MR的温度稳定性是本征磁电阻与隧穿磁电阻竞争的结果;掺K样品在253～175K温区MR从8.1%缓慢上升到9.5%,掺Ag样品在260K以下温区MR都在7.4%以上,纯的La4/5Sr1/5MnO3样品在318～259K温区MR都在7.0%以上,在如此宽温区MR几乎不变有利于MR的实际应用.
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| 关 键 词： | 电输运性质 磁电阻 A位离子半径 无序度 钙钛矿锰氧化物 |
INFLUENCE OF Ag AND K DOPINGS ON ELECTRIC TRANSPORT PROPERTY AND MAGNETORSISTANCE OF La4/5Sr1/5MnO3 |
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| ZHANG Ming-yu,YAN Guo-qing,TANG Yong-gang,WANG Gui-ying,SONG Qi-xiang,PENG Zhen-sheng.INFLUENCE OF Ag AND K DOPINGS ON ELECTRIC TRANSPORT PROPERTY AND MAGNETORSISTANCE OF La4/5Sr1/5MnO3[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2012(3):200-204. |
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| Authors: | ZHANG Ming-yu YAN Guo-qing TANG Yong-gang WANG Gui-ying SONG Qi-xiang PENG Zhen-sheng |
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| Institution: | 1Anhui Key Laboratory of Spintronic and Nanometric Materials(Cultivating Base),Anhui Suzhou 234000; 2School of Mechanical and Electronic Engineering,Suzhou University,Anhui Suzhou 234000 |
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