| a-SiC_x:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光 |
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| 引用本文： | 王莉,赵艳娥,赵福利,陈弟虎,吴明娒.a-SiC_x:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光[J].发光学报,2004(6). |
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| 作者姓名： | 王莉 赵艳娥 赵福利 陈弟虎 吴明娒 |
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| 作者单位： | 中山大学物理系光电材料与技术国家重点实验室 广东广州 510275
(王莉，赵艳娥，赵福利，陈弟虎)，中山大学化学与化工学院 广东广州 510275(吴明娒) |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金资助项目(001911) |
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| 摘 要： | 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx∶H(a SiCx∶H)和非晶Si∶H(a Si∶H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a SiCx∶H/nc Si∶H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截面透射电子显微镜技术分析了a SiCx∶H/nc Si∶H多层薄膜的结构特性。通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明:随着退火温度的升高,发光峰位置开始出现一些红移现象;当退火温度为900℃时,样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值;随着退火温度的继续升高,发光峰位置又开始出现蓝移现象。由此探讨纳米a SiCx∶H/nc Si∶H多层薄膜的发光特性和发光机理。
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| 关 键 词： | aSiCx∶H/Si∶H多层薄膜 等离子体增强化学气相沉积 热退火 |
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