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| 线性缓变SiGe HBT低温基区滚越时间的研究 | |
| 引用本文： | 张万荣,曾峥,罗晋生.线性缓变SiGe HBT低温基区滚越时间的研究[J].微电子学,1996(3). |
| 作者姓名： | 张万荣 曾峥 罗晋生 |
| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系微电子研究所 |
| 摘 要： | 提出了线性缓交ＳＩＧｅＨＢＴ的基区滚越时间τｂ的解析模型，基于该模型研究了基区渡越时问的低温行为。研究发现，τｂ随温度的降低而迅速减小，虽然大的基区Ｇｅ组份级变有利于τｂ的减少，但对小的基区缓变的ＨＢＴ，通过降低温度，也能使τｂ有较大的减小，改善其频率特性。 |
| 关 键 词： | 半导体器件 SiGe器件 异质结双极晶体管 基区渡越时间 应变层 |
Base Transit Time of HBT with Linearly Graded SiGe Base at Low Temperatures |
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| ZHANG Wanrong,ZENG Zheng and LUO Jinsheng.Base Transit Time of HBT with Linearly Graded SiGe Base at Low Temperatures[J].Microelectronics,1996(3). | |
| Authors: | ZHANG Wanrong ZENG Zheng and LUO Jinsheng |
| Abstract: | |
| Keywords: | Semiconductor device SiGe device Strained layer Heterojunction bipolar transistor Base transit time |
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