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| 插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究 | |
| 引用本文： | 宋庆功,王延峰,宋庆龙,康建海,褚勇.插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究[J].物理学报,2008,57(12). |
| 作者姓名： | 宋庆功 王延峰 宋庆龙 康建海 褚勇 |
| 作者单位： | 1. 中国民航大学理学院,天津,300300 2. 河北工业大学理学院,天津,300130 3. 唐山师范学院数学与信息科学系,唐山,063000 |
| 基金项目： | 中国民用航空总局教育研究基金，中国民航大学科研启动基金 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选用局域密度近似对Ag1/4TiSe2及TiSe2的几何结构进行了优化和总能量计算.计算得到的晶格常量与实验结果符合较好,负的形成能表明有序Ag1/4TiSe2系统的稳定性.布居数、键长、能带结构和态密度的计算结果显示:Ag以较强的离子性结合于Ag1/4TiSe2中.Ag的插入使得半金属性的TiSe2变为金属性的Ag1/4TiSe2,导电性质得到明显改善. |
| 关 键 词： | 电子结构 插层化合物 第一性原理计算 |
First-principle study on the electronic structures of intercalation compound Ag1/4TiSe2 |
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| Song Qing-Gong,Wang Yan-Feng,Song Qing-Long,Kang Jian-Hai,Chu Yong.First-principle study on the electronic structures of intercalation compound Ag1/4TiSe2[J].Acta Physica Sinica,2008,57(12). | |
| Authors: | Song Qing-Gong Wang Yan-Feng Song Qing-Long Kang Jian-Hai Chu Yong |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ag1/4TiSe2 |
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