硅-氢-氯-氧体系的热力学研究

通过对含有少量氧杂质的四氯化硅氢还原体系的热力学计算,得到Si-HCl-O体系的热力学性质及该体系的热平衡状态随温度和压力变化的规律。同时也讨论了硅表面水汽抛光的热力学性质。计算表明,降低压力至约10~2Pa时,既可降低外延温度,又能抑制含氧杂质对硅外延的不利影响。本文结果对直立密集装片方式的LPCVD型外延实用性的研究也有一定的理论参考价值。