| Si基多量子阱SiGe/Si波导光电探测器的制备和研究 |
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| 引用本文： | 陈荔群,蔡志猛.Si基多量子阱SiGe/Si波导光电探测器的制备和研究[J].光电子．激光,2017,28(10):1072-1075. |
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| 作者姓名： | 陈荔群 蔡志猛 |
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| 作者单位： | 集美大学 诚毅学院,福建 厦门 361021,厦门华厦学院,福建 厦门 361000 |
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| 基金项目： | 福建省中青年教师教育科研(JA15654)资助项目 (1.集美大学 诚毅学院,福建 厦门 361021； 2.厦门华厦学院,福建 厦门 361000) |
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| 摘 要： | 采用分子束外延MBE技术,在Si衬底上外延 高质量的20周期SiGe/Si多量子阱(MQW)层；以SiGe/Si MQW材料作 为吸收区,在Si基上制备波导型PIN光电探测器；金 属Al制作在器件的台面上下,形成金属-半导体肖特基接触。测试结果表明,器件在－2V偏压 下,对台面面积为7500μm2,暗电流为0.1μA；在0V偏压下,探测器的光响应谱的吸收 峰值为1008nm,并可以观察到随着吸收长度的 增大,响应信号也随之增大。
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| 关 键 词： | SiGe/Si多量子阱(MQW) 波导探测器 光谱响应 |
| 收稿时间： | 2017/2/23 0:00:00 |
Fabrication and characteristics analysis of Si-based SiGe/Si MQW waveguide photodetectors |
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| CHEN Li-qun and CAI Zhi-meng.Fabrication and characteristics analysis of Si-based SiGe/Si MQW waveguide photodetectors[J].Journal of Optoelectronics·laser,2017,28(10):1072-1075. |
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| Authors: | CHEN Li-qun and CAI Zhi-meng |
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| Institution: | Chengyi College,Jimei University,Xiamen 361021,China and Xiamen Huaxia Univers ity,Xiamen 361000,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe/Si multiple quantum wells (MQW) waveguide photodetector spectral response |
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