| 6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制 |
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| 引用本文： | 李现祥,胡小波,董捷,姜守振,李娟,陈秀芳,王丽,徐现刚,王继扬,蒋民华.6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制[J].人工晶体学报,2006,35(1):41-44. |
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| 作者姓名： | 李现祥 胡小波 董捷 姜守振 李娟 陈秀芳 王丽 徐现刚 王继扬 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家863高技术计划(No.2001AA311080)，教育部新世纪优秀人才资助计划 |
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| 摘 要： | 本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径向温度梯度下,6H-SiC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长.晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-SiC单晶.
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| 关 键 词： | 温度场 6H-SiC单晶 径向温度梯度 多型 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）01-0041-04 |
| 收稿时间： | 2005-08-26 |
| 修稿时间： | 2005-08-26 |
Temperature Field Optimization and Polytype Control in the Growth of 6H-SiC Single Crystal |
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| LI Xian-xiang,HU Xiao-bo,DONG Jie,JIANG Shou-zheng,LI Juan,CHEN Xiu-fang,WANG Li,XU Xian-gang,WANG Ji-yang,JIANG Min-hua.Temperature Field Optimization and Polytype Control in the Growth of 6H-SiC Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(1):41-44. |
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| Authors: | LI Xian-xiang HU Xiao-bo DONG Jie JIANG Shou-zheng LI Juan CHEN Xiu-fang WANG Li XU Xian-gang WANG Ji-yang JIANG Min-hua |
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| Institution: | State Key laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | temperature field 6H-SiC single crystal radial temperature gradient polytype |
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