| 低温功率器件驱动电路实验研究 |
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| 引用本文： | 杨广辉,丘明.低温功率器件驱动电路实验研究[J].低温物理学报,2006,28(2):191-196. |
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| 作者姓名： | 杨广辉 丘明 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院电工研究所,北京,100080
2. 中国科学院研究生院,北京,100039 |
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| 摘 要： | 低温电力电子技术的发展日益得到重视,主要是由于功率器件(如功率MOSFET和IGBT等)在低温下表现出更好的性能,如更低的通态阻抗,更高的开关频率等.为了实验测试和充分利用功率器件在低温下的这些性能,急需寻找或设计可以在低温下稳定可靠工作的功率器件驱动电路.我们在对目前商业化的驱动芯片进行分析的基础上,从中挑选了三种在低温下进行实验,对其输出波形随温度的变化进行研究,首次发现了可以在-196℃(77K)稳定工作的驱动芯片,其驱动性能基本能够满足低温下驱动功率器件的要求,为功率器件低温特性测试及低温功率变换电路的设计奠定了坚实的基础.
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| 关 键 词： | 低温电力电子 功率器件 驱动电路 |
| 收稿时间： | 09 27 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005年9月27日 |
EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF GATE-DRIVING CIRCUITS AT CRYOGENIC TEMPERATURE |
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| Yang Guang-Hui,Qiu Ming.EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF GATE-DRIVING CIRCUITS AT CRYOGENIC TEMPERATURE[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2006,28(2):191-196. |
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| Authors: | Yang Guang-Hui Qiu Ming |
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| Institution: | 1.Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080 ;2.Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cryogenic power-electronics power devices gate-driving circuit |
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