首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部专业
化学
晶体学
力学
数学
物理学
学报及综合类
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
功率VMOSFET优值Ron/BV的温度特性
引用本文:
潘志斌,徐国怡.功率VMOSFET优值Ron/BV的温度特性[J].半导体杂志,1991,16(4):5-10.
作者姓名:
潘志斌
徐国怡
摘 要:
关 键 词:
VMOSFET
温度特性
计算
击穿电压
本文献已被
维普
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号