| 高偏压Al-MgF_2-Au(Cu)隧道结的结构、导电和发光 |
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| 引用本文： | 江孟蜀.高偏压Al-MgF_2-Au(Cu)隧道结的结构、导电和发光[J].重庆工商大学学报(自然科学版),1993(4). |
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| 作者姓名： | 江孟蜀 |
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| 作者单位： | 渝州大学物理系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金会的资助 |
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| 摘 要： | 本文对我们所发明的Al-MgF_2-Au(Cu)薄膜发光器件1]的内层结构、导电过程和发光机理做了进一步的研究,对以前报导的一些结论作了原则性的修正:前所报导的Al-MgF_2-Au结内层的实际结构是Al-Al_2O_3-MgF_2-Au,而不仅仅是Al-MgF_2-Au;且正是由于Al_2O_3膜的存在,方才使MgF_2膜得以具有绝缘作用。是来之负电极的隧穿电子,而不是MgF_2膜内的热电子,导致了该结的导电和发光。据此,本文对该结在高偏压下的logL∝V的新型伏安特性曲线及其发射光谱中位于3.4ev(3600)附近的截止频率给出了理论解释;从而得出:电子隧穿,激发SPP,然后SPP退激发光的这一物理过程,即使在Al、Au两电极间的绝缘层厚度由3μm左右增加到20μm左右时,也可依然存在。
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| 关 键 词： | 发光隧道结 隧穿电子 表面等离极化激元 退激 |
Structure, Current transport and Light emission of the Al--MgF_2--Au high bias light--emitting tunnel junctions |
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| Jiang Meng Shu.Structure, Current transport and Light emission of the Al--MgF_2--Au high bias light--emitting tunnel junctions[J].Journal of Chongqing Technology and Business University:Natural Science Edition,1993(4). |
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| Authors: | Jiang Meng Shu |
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| Institution: | Jiang Meng Shu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Light-emitting tunnel junctions tunnelling electrons surface plamon-polarization (SPP) decouple |
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