| 掺杂C60薄膜的制备及光电特性 |
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| 引用本文： | 邹云娟,宋雪梅,王波,陈光华,严辉. 掺杂C60薄膜的制备及光电特性[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(4): 359-363 |
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| 作者姓名： | 邹云娟 宋雪梅 王波 陈光华 严辉 |
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| 作者单位： | 北京工业大学应用物理系,北京,100022 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金，北京市青年科技骨干培养基金，北京市跨世纪优秀人才工程基金，，，，，， |
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| 摘 要： | 在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60.硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1～2个量级.用共蒸发的方法制备出了硫掺杂C60薄膜,其电导率～温度曲线中存在一个过渡区,过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性,这与掺入C60薄膜中的硫杂质的存在状态有关.其室温电导率比掺杂前提高4个量级,光致发光也明显增强.另外还报道了用离子注入和射频等离子体辅助真空沉积的方法制备掺杂C60薄膜的初步结果.
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| 关 键 词： | C60 掺杂 电导率 电弧法 离子注入 等离子体化学气相沉积, |
Preparation and Electrical & Optical Properties of Doped C60 Thin Films |
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| Zhou Yunjuan,Song Xuemei,Wang Bo,Chen Guanghua,Yan Hui. Preparation and Electrical & Optical Properties of Doped C60 Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 1999, 28(4): 359-363 |
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| Authors: | Zhou Yunjuan Song Xuemei Wang Bo Chen Guanghua Yan Hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | C60 |
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