氮化镓的物理性质

氮化镓(GaN)是Ⅲ—Ⅴ族化合物的一种,它和同类化合物中的GaAs或GaP等材料相比,禁带宽度(Eg)大,室温下约为3.4eV。光学的基本吸收端在近紫外区。由于Eg大,所以作为蓝色发光器件用的材料而受到重视。它似乎具有直接跃迁型的能带结构。 晶体结构为纤维锌矿石型(六方形晶体系),a=3.189A,c=5.185A。目前制成优质的单晶还很困难,这成了GaN研究上的障碍。 普通的方法制得的晶体是n型,尽管禁带宽,但导电率高。其原因是由于存在氮的空位(变成浅施主)或者氧的影响。虽然通过掺杂也可能变成P型,但似乎不容易。