| 带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究 |
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| 引用本文： | 艾立.带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究[J].固体电子学研究与进展,2008,28(1):138-141. |
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| 作者姓名： | 艾立 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。
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| 关 键 词： | 双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 磷化铟 阶梯缓变集电区 |
| 文章编号： | 1000-3819(2008)01-138-04 |
| 修稿时间： | 2007年4月23日 |
Study on InP/InGaAs/lnP DHBT Structure with Step-graded Composite Collector |
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| AI Likun,XU Anhuai,SUN Hao,ZHU Fuying,QI Ming.Study on InP/InGaAs/lnP DHBT Structure with Step-graded Composite Collector[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2008,28(1):138-141. |
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| Authors: | AI Likun XU Anhuai SUN Hao ZHU Fuying QI Ming |
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| Institution: | AI Likun1,2 XU Anhuai1 SUN Hao1,2 ZHU Fuying1 QI Ming1(1 State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem , Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai,200050,CHN)(2 Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing,100039,CHN) |
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| Abstract: | A new InP/InGaAs/InP DHBT structure with step-graded composite collector has been designed and grown in this work.Two InGaAsP layers with different band gaps were inserted between collector and base to eliminate the carrier blocking effect.The InP/InGaAs/InP DHBT structures were grown by gas source molecular beam epitaxy.A good crystalline quality of InP,InGaAs and InGaAsP materials was obtained through optimizing the growth conditions.The InP/InGaAs/InP DHBT structures were also grown successfully. |
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| Keywords: | double heterojunction bipolar transistor gas source molecular beam epitaxy indium phosphide step-graded composite collector |
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