| MeV高能离子注入Si的研究 |
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| 引用本文： | 卢武星 吴瑜光. MeV高能离子注入Si的研究[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 181-184. DOI: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181 |
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| 作者姓名： | 卢武星 吴瑜光 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理所; 北京市辐射中心 |
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| 摘 要： | 综述了近年来低能核物理所开展ＭｅＶ高能离子注入Ｓｉ的研究概况．研究工作包括深注入掩埋层物理特性分析，新型增强退火研究，二次缺陷的抑制与消除，离子束缺陷工程新原理、新方法的建立和应用，注入杂质的叠加分布与计算等． This paper presents a briefing of the development of implanted silicon with MeV high energy ion at the BNU of late years. A lot of subjects are reviewed.
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| 关 键 词： | 高能注入 增强退火 缺陷工程 |
| 收稿时间： | 1900-01-01 |
Study on Implanted Silicon with MeV Ions |
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| LU Wu-xing,WU Yu-guang. Study on Implanted Silicon with MeV Ions[J]. Nuclear Physics Review, 1997, 14(3): 181-184. DOI: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181 |
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| Authors: | LU Wu-xing WU Yu-guang |
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| Affiliation: | (Institute of Low Energy Nuclear Physics; Beijing Normal University; Beijing Radiation Center; Beijing 100875); |
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| Abstract: | This paper presents a briefing of the development of implanted silicon with MeV high energy ion at the BNU of late years. A lot of subjects are reviewed. |
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| Keywords: | |
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