| 溅射气压对DC磁控溅射制备AIN薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 赖珍荃,邹文祥,李海翼,刘文兴.溅射气压对DC磁控溅射制备AIN薄膜的影响[J].南昌大学学报(理科版),2011,35(1). |
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| 作者姓名： | 赖珍荃 邹文祥 李海翼 刘文兴 |
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| 作者单位： | 南昌大学物理学系,江西,南昌,330031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，同济大学波与材料微结构重点实验室开放基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用DC反应磁控溅射法,在Si(111)和玻璃基底上成功的制备了AIN薄膜.研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响.结果表明:薄膜中原子比N/Al接近于1;当溅射气压低于0.6 Pa时,薄膜为非晶态;当溅射气压不低于0.6Pa时,薄膜的XRD图中均出现了6方相的AIN(100)、(110)和弱的(002)衍射峰,说明所制备的AIN薄膜为多晶态;气压为0.6 Pa时对应衍射峰的半高峰宽较小,薄膜的结晶性较好,随着溅射气压的继续增大,薄膜结晶性变差;在不同的溅射气压(0.6-1.0 Pa)下,MN薄膜在250-1000 nm波长范围内的透过率均在82%以上,且随溅射气压的增大略有升高.
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| 关 键 词： | AIN薄膜 磁控溅射 溅射气压 透过率 |
Influence of sputtering pressure on AIN thin films prepared by DC magnetron sputtering |
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| LAI Zhen-quan,ZOU Wen-xiang,LI Hai-yi,LIU Wen-xing.Influence of sputtering pressure on AIN thin films prepared by DC magnetron sputtering[J].Journal of Nanchang University(Natural Science),2011,35(1). |
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| Authors: | LAI Zhen-quan ZOU Wen-xiang LI Hai-yi LIU Wen-xing |
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