| 基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文） |
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| 引用本文： | 陈帅,谢灯,丘志仁,Tin Chin-Che,王洪朝,梅霆,万玲玉,冯哲川. 基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）[J]. 光散射学报, 2016, 0(2): 125-130. DOI: 10.13883/j.issn1004-5929.201602006 |
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| 作者姓名： | 陈帅 谢灯 丘志仁 Tin Chin-Che 王洪朝 梅霆 万玲玉 冯哲川 |
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| 作者单位： | 1. 物理科学与工程技术学院,广西相对论天体物理重点实验室,光电子材料与探测技术实验室,广西大学,南宁530004;2. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631;3. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州 510275;4. Department of Mechanical Engineering,University of Malaya,50603 Kuala Lumpur,Malaysia;Department of Physics,Auburn University,Auburn,Alabama 36849,U.S.A. |
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| 基金项目： | 中山大学光电材料与技术国家重点实验室开放课题和国家自然科学基金(11474365;61176085)，广西相对论天体物理重点实验室广西自然科学基金创新团队项目(2013GXNSFFA019001)，国家自然科学基金“基于铁电体微畴结构的平板集成高速电光器件研究”(AE0520088) |
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| 摘 要： | 立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。
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| 关 键 词： | 3C碳化硅 光谱椭偏仪 拉曼散射 厚度 |
Raman Scattering Studies on CVD Grown Cubic SiC Thin Films on Si |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 3C-SiC spectroscopic ellipsometry Raman scattering thickness |
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