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| 亚微米LDD MOSFET’s集成电路的优化设计及研制 | |
| 引用本文： | 余山,章定康,黄敞.亚微米LDD MOSFET’s集成电路的优化设计及研制[J].半导体学报,1992,13(7):423-429. |
| 作者姓名： | 余山 章定康 黄敞 |
| 作者单位： | 陕西微电子学研究所，陕西微电子学研究所，陕西微电子学研究所 陕西 临潼710600，陕西 临潼710600，陕西 临潼710600 |
| 摘 要： | 本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计. |
| 关 键 词： | 集成电路 优化 掺杂 分布 设计 |
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