| p~ -ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究 |
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| 引用本文： | 王善忠,谢绳武,庞乾骏,姬荣斌,巫艳,何力.p~ -ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(5). |
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| 作者姓名： | 王善忠 谢绳武 庞乾骏 姬荣斌 巫艳 何力 |
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| 作者单位： | 上海交通大学应用物理系，光电材料与光电器件实验室，电子工程系，区域光纤网与新型光通信系统国家实验室!上海，200030，上海交通大学应用物理系，光电材料与光电器件实验室，电子工程系，区域光纤网与新型光通信系统国家实验室!上海，200030，上海交通大学应用物理系，光电材料与光电器 |
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| 摘 要： | 研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达～ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 Na]- Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (～ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .
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| 关 键 词： | 氮掺杂源 MBE p-ZnSe 评价 |
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