| LDMOS射频晶体管满足2.5G和3G蜂窝基站的新挑战 |
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| 引用本文： | Steve Jones. LDMOS射频晶体管满足2.5G和3G蜂窝基站的新挑战[J]. 世界电子元器件, 2003, 0(7): 44-46 |
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| 作者姓名： | Steve Jones |
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| 作者单位： | 杰尔系统(Agere)射频系统工程师 |
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| 摘 要： | 运行在869MHz-2.17GHz频段内的蜂窝无线基站是射频功率晶体替如今最大的市场。其中，基中硅的LDMOS器件被广泛使用于500MHz=2.5GHz之间的射频功率放大器应用当中。作为增强模式的N沟道MOSFET，LDMOS器件(LD代表侧面扩散，描述了器件的沟道结构)专门被设计成为具有高的工作电压(长沟道）和低寄生电容，从而能在高频下工作。在早
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| 关 键 词： | LDMOS 射频晶体管 3G 基站 MOSFET 蜂窝无线基站 |
LDMOS RF Power Transistors Address New Challenges in 2.5G and 3G Cellular Basestations |
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| Steve Jones. LDMOS RF Power Transistors Address New Challenges in 2.5G and 3G Cellular Basestations[J]. Global Electronics China, 2003, 0(7): 44-46 |
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| Authors: | Steve Jones |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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