| 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术 |
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| 引用本文： | 刘鑫,刘进元,杨方,张凤霞. 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(12) |
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| 作者姓名： | 刘鑫 刘进元 杨方 张凤霞 |
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| 作者单位： | 深圳大学,光电子学研究所,广东,深圳,518060;深圳大学,光电子学研究所,广东,深圳,518060;深圳大学,光电子学研究所,广东,深圳,518060;深圳大学,光电子学研究所,广东,深圳,518060 |
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| 摘 要： | 以高速MOSFET器件为基础，对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式，得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲；在负载电阻为11.5 Ω时，可以产生365 A的脉冲峰值电流，并且能够提供1.5 MW的峰值输出功率。
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| 关 键 词： | MOSFET 高压脉冲 感应叠加 脉冲变压器 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
High-voltage pulse generation with MOSFET |
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| LIU Xin,LIU Jin-yuan,YANG Fang,ZHANG Feng-xia. High-voltage pulse generation with MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20(12) |
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| Authors: | LIU Xin LIU Jin-yuan YANG Fang ZHANG Feng-xia |
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| Affiliation: | Institute of Optoelectronics, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China |
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| Abstract: | Based on high-speed MOSFET switches, the dual ultrafast high voltage pulses are generated with the inductive adder circuit topology. The pulses’ half-width is 300 ns, the rise time is about 60 ns and the time interval between two pulses is 600 ns. The peak pulse current could be 365 A for a load of 11.5 Ω and the corresponding output peak pulse power is 1.5 MW. |
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| Keywords: | MOSFET high-voltage pulse inductive adder transformer |
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