|
|||||
|
|
| 集成电路设计及CAD技术 | |
| 引用本文： | 刘润生,董在望.集成电路设计及CAD技术[J].电气电子教学学报,1993(4). |
| 作者姓名： | 刘润生 董在望 |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系 (刘润生)，清华大学电子工程系(董在望) |
| 摘 要： | 1.1 集成电路的发展60年代初开始,在一个硅片上集成2～4个基本门。60年代末,由于MOS工艺的发展,已可以作到1000个门/芯片。70年代末已制出64K动态存贮器DRAM,其集成度达到近1万门左右/芯片。80年代则进入了VLSI时代。80年代末,已经可以达到0.8μm工艺,其集成度已达到数百万个元件/芯片。90年代则进入亚微米时代,现已可作到0.5μm以下的工艺。其集成度已达到1百万 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |