| InP的MOVPE生长 |
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| 引用本文： | 刘祥林,陆大成,王晓晖,汪度,董建荣.InP的MOVPE生长[J].光子学报,1996,25(2):153-156. |
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| 作者姓名： | 刘祥林 陆大成 王晓晖 汪度 董建荣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料开放实验室 |
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| 摘 要： | 我们利用自制的常压MOVPE设备和国产的三甲基钢以及进口的磷烷生长了InP外延材料,其77K迂移率为65300cm2/V·s,据我们所知这是国内迄今为止用各种方法获得的InP薄膜的最大低温迁移率值。
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| 关 键 词： | MOVPE InP 迁移率 |
| 收稿时间： | 1994-10-18 |
GROWTH OF InP BY MOVPE |
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| Liu Xianglin, Lu Dacheng,Wang Xiaohui,Wang Du,Dong Jianrong.GROWTH OF InP BY MOVPE[J].Acta Photonica Sinica,1996,25(2):153-156. |
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| Authors: | Liu Xianglin Lu Dacheng Wang Xiaohui Wang Du Dong Jianrong |
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| Institution: | Semiconductor Materials Science Laboratory, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083 |
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| Abstract: | InP epitaxial layer has been grown by home made atmospheric pressure.MOVPE equipment with domestic trimethylindium and imported phosphine.Its mobility at 77 K is 65300 cm2/V.s,which is the highest low-temperature mobility of InP grown by any method up to now in Cmna. |
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| Keywords: | MOVPE InP Mobility |
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