|
|||||
|
|
| 芯片表面上极性冷分子的静电囚禁 | |
| 摘 要： | 提出了采用芯片表面上方形载荷导线框产生的静电场实现极性冷分子芯片表面囚禁的新方案,计算了方形载荷导线框周围的电场分布,分析了囚禁中心位置和导线框几何参数之间的依赖关系,并研究了过囚禁中心在x和z方向的电场强度和其对应的CO分子的Stark囚禁势与几何参数之间的关系.研究表明,对于CO分子,该方案的有效势阱深度可达130... |
| 关 键 词： | 原子和分子物理学 静电表面囚禁 有限元分析 分子芯片 Maxwell软件 |
|
||||||||||
|
||||||||||
|
||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |