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激光荧光光谱研究Pyrene在SiO_2表面上生成Excimer的机理
引用本文:郭宝华.激光荧光光谱研究Pyrene在SiO_2表面上生成Excimer的机理[J].光谱学与光谱分析,1986(6).
作者姓名:郭宝华
作者单位:河北师院化学系 石家庄
摘    要:用激光荧光法研究了pyrene(芘,嵌二萘)在SiO_2表面上生成excimer(激基缔合物)的机理。在4.2°K温度下,分别用330nm和375nm的激光激发pyrene,可检测到不同的荧光光谱带;在77°K时,分别在392nm和475nm处检测pyrene在SiO_2表面上的激发光谱,也得到不同的激发谱带;说明在实验样品条件下,pyrene在SiO_2表面上有稳定的“静态”eimer存在,当激发这些eimer时,就生成excimer,从而可在475nm附近观察到excimer的特征发射带。然而,不同温度下的荧光光谱又显示出,pyrene吸附在SiO_2表面上除去由dimer受激而直接生成的excimer外,仍有部分“动态”的excimer生成,即由受激的单体pyrene分子在表面通过扩散而和另一个单体pyrene分子形成excimer(就象在溶液中一样)。

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