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采用高压条带技术的MOSFET
摘 要:
ViShaY推出下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件,这些新的400V、500V和600Vn沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3~36A电流,采用多种封装。
关 键 词:
功率MOSFET
高压
技术
条带
低导通电阻
栅极电荷
n沟道
器件
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