| 1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性 |
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| 引用本文： | 李再金,芦鹏,李特,曲轶,薄报学,刘国军,马晓辉.1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性[J].发光学报,2012,33(6):647-650. |
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| 作者姓名： | 李再金 芦鹏 李特 曲轶 薄报学 刘国军 马晓辉 |
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| 作者单位： | 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，吉林省科技发展计划 |
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| 摘 要： | 研究了1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明,器件在15~55 ℃范围内所测的输出光功率由40.7 W降低到29.4 W,阈值电流由9.29 A升高到17.24 A,转换效率由54.22%降低到37.55%,光谱漂移为0.37 nm/℃,特征温度为68.6 K。实验结果表明,为保持器件性能的稳定,在实际应用过程中应该使器件的温度控制在15~25 ℃范围内。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 1.06 μm 阈值电流 温度特性 |
| 收稿时间： | 2012/3/23 |
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