| 808 nm大功率半导体激光器腔面膜的制备 |
| |
| 引用本文： | 套格套,尧舜,张云鹏,路国光,初国强,刘云,王立军. 808 nm大功率半导体激光器腔面膜的制备[J]. 光子学报, 2005, 34(1): 25-28 |
| |
| 作者姓名： | 套格套 尧舜 张云鹏 路国光 初国强 刘云 王立军 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033 |
| |
| 基金项目： | 中科院"十五重大"(Z01Q03)与国防科研计划(A02X05Z)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 采用等离子体辅助电子束蒸发方法在808 nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2/SiO2系前后腔面膜. 用直接测量法测量并比较了各种常用膜系的相对损伤阈值. 增透膜的反射率为12.2％,高反膜的反射率为97.9％. 对于100 μm条宽、1000 μm腔长的条形结构通过器件测量结果是出光功率提高79％、外微分量子效率提高80％、功率效率由没镀膜之前的22.2％提高到镀膜之后的39.8％.
|
| 关 键 词： | 半导体激光器 等离子体辅助电子束蒸发 高反膜 增透膜 灾变性光学损伤 |
| 收稿时间： | 2003-11-03 |
| 修稿时间： | 2004-06-18 |
Fabrication of 808 nm SQW Semiconductor Laser Facet AR HR Coating |
| |
| Affiliation: | (Changchun Institute of Optics, Fine Mchanics and Physics, Chinese Academy of Science, Changchun 130033) |
| |
| Abstract: | HfO 2/SiO 2 front and back facet coatings of 808 nm SQW semiconductor laser has been fabricated with Plasma Assisted Electron Beem Deposition (Plasma-Ion Assisted Deposition) method.Front AR coating reflectivity is as low as 12.2% and back HR coating is as high as 97.9%.The output power is improved 79%,external different quantum efficiency improved 80%.The output efficiency increased from 22.2% to 39.8% for 100 μm wide 1000 μm-cavity length device. |
| |
| Keywords: | Semiconductor laser Plasma assisted electron beem deposition AR coating HR coating Output efficiency Catastrophic optical damage |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光子学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光子学报》下载全文 |
