| 平面型铟镓砷红外探测器八元线列的制备与性能分析 |
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| 引用本文： | 吴小利,张可锋,唐恒敬,李雪,龚海梅.平面型铟镓砷红外探测器八元线列的制备与性能分析[J].红外与激光工程,2008,37(3). |
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| 作者姓名： | 吴小利 张可锋 唐恒敬 李雪 龚海梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院,上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院,研究生院,北京,100039;中国科学院,上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
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| 摘 要： | 由于具有高探测率、高可靠性以及可室温工作等特点,InGaAs红外探测器在航天遥感领域具有重要的应用,而平面型的InGaAs红外探测器是国际主流的结构,但是国内这一方面的研究却刚刚起步,文中通过闭管锌扩散方式制备了平面型In0.53Ga0.47As红外探测器八元线列,测试了器件的伏安特性,得到器件的暗电流在零偏压下平均值为6.5pA,-500mV下为18.2pA,并且通过对器件信号、噪声以及响应光谱的测试得到器件的峰值响应率,其平均值为8.11×1011cm·Hz1/2·W-1,不均匀性为4.69%.通过器件的优值因子R0A计算了器件理论峰值响应率,结果表明:理论峰值响应率平均值高于测试值,且不均匀性较大.通过拟合器件的伏安曲线分析了器件峰值响应率与理论值的差别.
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| 关 键 词： | In0.53Ga0.47As探测器 平面型 探测率 I-V曲线 |
Fabrication and performance analysis of 8 elements planar In0.53Ga0.47As photo-detector array |
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| WU Xiao-li,ZHANG Ke-feng,TANG Heng-jing,LI Xue,GONG Hai-mei.Fabrication and performance analysis of 8 elements planar In0.53Ga0.47As photo-detector array[J].Infrared and Laser Engineering,2008,37(3). |
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| Authors: | WU Xiao-li ZHANG Ke-feng TANG Heng-jing LI Xue GONG Hai-mei |
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