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AgCl/Si_3N_4膜的制备与应用
引用本文:
钟仕科,郭述文,付敏恭.AgCl/Si_3N_4膜的制备与应用[J].南昌大学学报(理科版),1986,10(2):1.
作者姓名:
钟仕科
郭述文
付敏恭
作者单位:
江西大学物理系; 江西大学化学系;
摘 要:
本文介绍了在Si3N4膜上制作AgCl膜的三种方法:化学沉积法、真空镀银法和真空沉积AgCl法。实验表明,三种方法制得AgCl膜的性能基本一致。AgCl/Si3N4膜可用来制作离子敏感电极,测量溶液中的Ag+和Cl-离子的浓度,测量范围在10-2~10-5M,但对Ag+离子浓度的测量结果不够理想。
关 键 词:
制备与应用
真空镀膜
真空沉积
三种方法
实验证明
测量结果
离子浓度
去离子水
测量范围
数字电压表
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