| SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源 |
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| 引用本文： | 沈今楷,吴兴龙,袁仁宽,谭超,邓树胜,鲍希茂.SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源[J].发光学报,2001,22(4):339-342. |
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| 作者姓名： | 沈今楷 吴兴龙 袁仁宽 谭超 邓树胜 鲍希茂 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，59832100,59772038， |
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| 摘 要： | 我们借助傅立叶变换红外光谱（FT－IR）以及光致激发谱（PLE），研究SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明，该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位，而与锗的氧化物紧密相关。PLE的结果证实它们来源于GeO色心TⅡ‘→S0的光学跃迁，给出的GeO电子态模型描述了载流子激发和复合的过程。
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| 关 键 词： | 光荧光 磁控溅射 红外光发射 GeO色心 SiO2／Ge：SiO2／SiO2夹层结构 二氧化硅 锗 混合物薄膜 氧化锗 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)04-0339-04 |
| 修稿时间： | 2001年1月16日 |
Origin of Infrared Photoluminescence from SiO2/Ge: SiO2/SiO2 Sandwiched Structure |
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| SHEN Jin-kai,WU Xing-long,YUAN Ren-kuan,TAN Chao,DENG Shu-sheng,BAO Xi-mao.Origin of Infrared Photoluminescence from SiO2/Ge: SiO2/SiO2 Sandwiched Structure[J].Chinese Journal of Luminescence,2001,22(4):339-342. |
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| Authors: | SHEN Jin-kai WU Xing-long YUAN Ren-kuan TAN Chao DENG Shu-sheng BAO Xi-mao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photoluminescence magnetron sputtering infrared light emission GeO color center |
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