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飞秒激光制备黑硅的光谱特性
引用本文:孟娇,宋海英,刘嵩,董祥明,刘世炳. 飞秒激光制备黑硅的光谱特性[J]. 光散射学报, 2014, 26(2): 154-158
作者姓名:孟娇  宋海英  刘嵩  董祥明  刘世炳
作者单位:孟娇:北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124
宋海英:北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124
刘嵩:北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124
董祥明:北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124
刘世炳:北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124
基金项目:国家自然科学基金资助项目(No.51275012)
摘    要:本文采用飞秒激光在空气中对单晶硅进行扫描处理,在硅表面制备出平行排列并具有微尺度沟槽的黑硅材料。在扫描电子显微镜下,观察到了黑硅的纳米尺度的二级结构。通过黑硅的反射光谱发现,在250~1000nm光谱区域的反射率明显降低,且沟槽越深,反射率越低。同时,对沟槽深度与反射率的关系以及二级纳米结构的形貌进行了讨论。通过黑硅的拉曼光谱发现,飞秒激光处理后的硅片没有发生成分和结构上的变化,黑硅的成分依然是单晶硅。

关 键 词:飞秒激光  黑硅  反射光谱  拉曼光谱
收稿时间:2013-07-01

Spectroscopic Characteristic of Femtosecond Laser Fabricating Black Silicon
Abstract:
Keywords:femtosecond laser  black silicon  reflection spectrum  Raman spectrum
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