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用作衬底的GaAs和GaP的合成和晶体生长
引用本文:
劲松.用作衬底的GaAs和GaP的合成和晶体生长[J].发光学报,1974(5).
作者姓名:
劲松
摘 要:
本文评论器件所用的GaAs和GaP单晶衬底的通用制备工艺。评论了化合物合成和晶体生长的主要方法。重点谈液封直拉法,因为所有大面积GaP单晶目前都是用这种方法生长的。
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